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半导体研究所 [141]
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OAI收割 [141]
内容类型
期刊论文 [130]
会议论文 [11]
发表日期
2017 [1]
2016 [8]
2015 [4]
2014 [16]
2013 [6]
2012 [15]
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学科主题
光电子学 [141]
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学科主题:光电子学
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Evolution of differential efficiency in blue InGaN laser diodes before and after a lasing threshold
期刊论文
OAI收割
Applied Optics, 2017, 卷号: 56, 期号: 9, 页码: 2462-2466
作者:
X. LI
;
Z. S. LIU
;
D. G. ZHAO
;
D. S. JIANG
;
P. CHEN
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提交时间:2018/07/11
XPS study of impurities in Si-doped AlN film
期刊论文
OAI收割
surface and interface analysis, 2016, 卷号: 48, 期号: 12, 页码: 1305–1309
F. Liang
;
P. Chen
;
D. G. Zhao
;
D. S. Jiang
;
Z. J. Zhao
;
Z. S. Liu
;
J. J. Zhu
;
J. Yang
;
L. C. Le
;
W. Liu
;
X.G. He
;
X. J. Li
;
X Li
;
S. T Liu
;
H. Yang
;
J. P. Liu
;
L. Q. Zhang
;
Y. T. Zhang
;
G. T. Du
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提交时间:2017/03/10
The thickness design of unintentionally doped GaN interlayer matched with background doping level for InGaN-based laser diodes
期刊论文
OAI收割
aip advances, 2016, 卷号: 6, 页码: 035124
P. Chen
;
D. G. Zhao
;
D. S. Jiang
;
J. J. Zhu
;
Z. S. Liu
;
J. Yang
;
X. Li
;
L. C. Le
;
X. G. He
;
W. Liu
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X. J. Li
;
F. Liang
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B. S. Zhang
;
H. Yang
;
Y. T. Zhang
;
G. T. Du
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提交时间:2017/03/10
Photoelectron spectroscopy study of AlN films grown on n-type 6H-SiC by MOCVD
期刊论文
OAI收割
applied physics a, 2016, 卷号: 122, 期号: 9
F. Liang
;
P. Chen
;
D. G. Zhao
;
D. S. Jiang
;
Z. J. Zhao
;
Z. S. Liu
;
J. J. Zhu
;
J. Yang
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W. Liu
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X. G. He
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X. J. Li
;
X. Li
;
S. T. Liu
;
H. Yang
;
J. P. Liu
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L. Q. Zhang
;
Y. T. Zhang
;
G. T. Du
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提交时间:2017/03/10
Influence of InGaN growth rate on the localization states and optical properties of InGaN/GaN multiple quantum wells
期刊论文
OAI收割
superlattices and microstructures, 2016, 卷号: 97, 页码: 186-192
X. Li
;
D.G. Zhao
;
J. Yang
;
D.S. Jiang
;
Z.S. Liu
;
P. Chen
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J.J. Zhu
;
W. Liu
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X.G. He
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X.J. Li
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F. Liang
;
L.Q. Zhang
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J.P. Liu
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H. Yang
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Y.T. Zhang
;
G.T. Du
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提交时间:2017/03/10
Large field emission current from Si-doped AlN film grown by MOCVD on n-type (001) 6H-SiC
期刊论文
OAI收割
chemical physics letters, 2016, 卷号: 651, 页码: 76-79
F. Liang
;
P. Chen
;
D.G. Zhao
;
D.S. Jiang
;
Z.S. Liu
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J.J. Zhu
;
J. Yang
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W. Liu
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X.G. He
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X.J. Li
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X. Li
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S.T. Liu
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H. Yang
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L.Q. Zhang
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J.P. Liu
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Y.T. Zhang
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G.T. Du
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提交时间:2017/03/10
Effects of Si-doping on field emission characteristics of AlN films grown on n-type 6H-SiC by MOCVD
期刊论文
OAI收割
materials technology, 2016
F. Liang
;
P. Chen
;
D. G. Zhao
;
D. S. Jiang
;
Z. S. Liu
;
J. J. Zhu
;
J. Yang
;
W. Liu
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X. Li
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S. T. Liu
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H. Yang
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L. Q. Zhang
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J. P. Liu
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Y. T. Zhang
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G. T. Du
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提交时间:2017/03/10
Emission efficiency enhanced by reducing the concentration of residual carbon impurities in InGaN/GaN multiple quantum well light emitting diodes
期刊论文
OAI收割
optics express, 2016, 卷号: 24, 期号: 13, 页码: 13824-13831
J. Yang
;
D. G. Zhao
;
D. S. Jiang
;
P. Chen
;
Z. S. Liu
;
J. J. Zhu
;
X. J. Li
;
X. G. He
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J. P. Liu
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L. Q. Zhang
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H. Yang
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Y. T. Zhang
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G. T. Du
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提交时间:2017/03/10
Emission efficiency enhanced by introduction of the homogeneous localization states in InGaN/GaN multiple quantum well LEDs
期刊论文
OAI收割
journal of alloys and compounds, 2016, 卷号: 681, 页码: 522-526
J. Yang
;
D.G. Zhao
;
D.S. Jiang
;
P. Chen
;
J.J. Zhu
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Z.S. Liu
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J.P. Liu
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L.Q. Zhang
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H. Yang
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Y.T. Zhang
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G.T. Du
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提交时间:2017/03/10
Photovoltaic response of InGaN/GaN multi-quantum well solar cells enhanced by inserting thin GaN cap layers
期刊论文
OAI收割
journal of alloys and compounds, 2015, 卷号: 635, 期号: 2015, 页码: 82–86
J. Yang
;
D.G. Zhao
;
D.S. Jiang
;
P. Chen
;
J.J. Zhu
;
Z.S. Liu
;
L.C. Le
;
X.G. He
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X.J. Li
;
H. Yang
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Y.T. Zhang
;
G.T. Du
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提交时间:2016/03/23