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半导体研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2018 [1]
学科主题
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共1条,第1-1条
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发表日期:2018
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Process optimization for homoepitaxial growth of thick 4H-SiC films via hydrogen chloride chemical vapor deposition
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2018, 卷号: 504, 页码: 7-12
作者:
X.F. Liu
;
G.G. Yan
;
B. Liu
;
Z.W. Shen
;
Z.X. Wen
;
J. Chen
;
W.S. Zhao
;
L. Wang
;
F. Zhang
;
G.S. Sun
;
Y.P. Zeng
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提交时间:2019/11/15