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浏览/检索结果: 共25条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Performance of InGaN based green laser diodes improved by using an asymmetric InGaN/InGaN multi-quantum well active region 期刊论文  OAI收割 OPTICS EXPRESS, 2017, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: 9595-9602 作者:  J. YANG;  D. G. ZHAO;  D. S. JIANG;  X. LI;  F. LIANG   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2018/11/30 Evolution of differential efficiency in blue InGaN laser diodes before and after a lasing threshold 期刊论文  OAI收割 Applied Optics, 2017, 卷号: 56, 期号: 9, 页码: 2462-2466 作者:  X. LI;  Z. S. LIU;  D. G. ZHAO;  D. S. JIANG;  P. CHEN 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2018/07/11 Electroluminescence property improvement by adjusting quantum wells’ position relative to p-doped region in InGaN/GaN multiple-quantum-well light emitting diodes 期刊论文  OAI收割 AIP Advances, 2017, 卷号: 7, 页码: 035103 作者:  P. Chen;  D. G. Zhao;  D. S. Jiang;  H. Long;  M. Li 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2018/07/11 Temperature dependence of photoluminescence spectra for green ligh emission from InGaN/GaN multiple wells 期刊论文  OAI收割 optics express, 2015, 卷号: 23, 期号: 12, 页码: 15935 W. Liu; D. G. Zhao; D. S. Jiang; P. Chen; Z. S. Liu; J. J. Zhu; M. Shi; D. M.Zhao; X. Li; J. P. Liu; S. M. Zhang; H. Wang; H. Yang; Y. T. Zhang; G. T.Du 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2016/03/23 The significant effect of the thickness of Ni film on the performance of the Ni/Au Ohmic contact to p-GaN 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014, 2014, 卷号: 116, 116, 期号: 16, 页码: 163708, 163708 作者:  Li, X. J.;  Zhao, D. G.;  Jiang, D. S.;  Liu, Z. S.;  Chen, P.   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2015/03/19 Effect of V-defects on the performance deterioration of InGaN_GaN multiple-quantum-well light-emitting diodes with varying barrier layer thickness 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, Journal of Applied Physics, 2013, 2013, 卷号: 114, 114, 期号: 14, 页码: 143706, 143706 作者:  Le, L. C.;  Zhao, D. G.;  Jiang, D. S.;  Li, L.;  Wu, L. L.   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2014/04/09 High efficient GaN-based laser diodes with tunnel junction 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, Applied Physics Letters, 2013, 2013, 卷号: 103, 103, 期号: 4, 页码: 043508, 043508 作者:  M. X. Feng, J. P. Liu, S. M. Zhang, D. S. Jiang, Z. C. Li, K. Zhou, D. Y. Li, L. Q. Zhang, F. Wang, H. Wang, P. Chen, Z. S. Liu, D. G. Zhao, Q. Sun, H. Yang   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2014/04/09 Effect of light Si-doping on the near-band-edge emissions in high quality GaN 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2012, 卷号: 112, 期号: 5, 页码: 053104 Le LC (Le, L. C.); Zhao DG (Zhao, D. G.); Jiang DS (Jiang, D. S.); Wu LL (Wu, L. L.); Li L (Li, L.); Chen P (Chen, P.); Liu ZS (Liu, Z. S.); Zhu JJ (Zhu, J. J.); Wang H (Wang, H.); Zhang SM (Zhang, S. M.); Yang H (Yang, H.) 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2013/04/02 Effect of In incorporation parameters on the electroluminescence of blue-violet InGaN/GaN multiple quantum wells grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 journal of alloys and compounds, 2012, 卷号: 540, 页码: 46-48 Zhao DG (Zhao, D. G.); Jiang DS (Jiang, D. S.); Le LC (Le, L. C.); Wu LL (Wu, L. L.); Li L (Li, L.); Zhu JJ (Zhu, J. J.); Wang H (Wang, H.); Liu ZS (Liu, Z. S.); Zhang SM (Zhang, S. M.); Jia QJ (Jia, Q. J.); Yang H (Yang, Hui) 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2013/03/27 Can interference patterns in the reflectance spectra of GaN epilayers give important information of carrier concentration? 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2012, 卷号: 101, 期号: 19, 页码: 191102 Zheng CC (Zheng, C. C.); Xu SJ (Xu, S. J.); Zhang F (Zhang, F.); Ning JQ (Ning, J. Q.); Zhao DG (Zhao, D. G.); Yang H (Yang, H.); Che CM (Che, C. M.) 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2013/03/27