机构

• 兰州化学物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2020 [1]

学科主题

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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2020     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Resistive switching behaviors and mechanisms of HfS2 film memory devices studied by experiments and density functional theory calculations 期刊论文  OAI收割 Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 6, 期号: 16, 页码: 063503 作者:  Naifeng Li;  Yue Wang;  Haifeng Sun;  Junjie Hu;  Maoyuan Zheng   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/11/30