机构

• 半导体研究所 [8]

采集方式

• OAI收割 [8]

内容类型

• 期刊论文 [8]

发表日期

• 2011 [2]
• 2005 [2]
• 2004 [4]

学科主题

• 半导体材料 [8]

筛选

浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Valence band offset of GaN/diamond heterojunction measured by X-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 18, 页码: 8110-8112 作者:  Shi K;  Jiao CM;  Song HP 收藏  |  浏览/下载：92/7  |  提交时间：2011/07/05 Valence band offset  GaN/diamond heterojunction  XPS  Conduction band offset  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  ALGAN/GAN HEMTS  DIAMOND  GAN  FILMS   Determination of InN/Diamond Heterojunction Band Offset by X-ray Photoelectron Spectroscopy 期刊论文  OAI收割 nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: article no.50 作者:  Wei HY;  Song HP;  Zhang B 收藏  |  浏览/下载：63/2  |  提交时间：2011/07/05 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  CORE-LEVEL PHOTOEMISSION  SB-DOPED SNO2  INN  GROWTH  GAN  NAXWO3  ALLOYS  GREEN  STATE   Effects of different modified underlayer surfaces on growth and optical properties of InGaN quantum dots 期刊论文  OAI收割 vacuum, 2005, 卷号: 77, 期号: 3, 页码: 307-314 Han, XX; Li, JM; Wu, JJ; Wang, XH; Li, DB; Liu, XL; Han, PD; Zhu, QS; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/03/17 nanostructure   Crack-free GaN/Si(111) epitaxial layers grown with InAlGaN alloy as compliant interlayer by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2005, 卷号: 279, 期号: 3-4, 页码: 335-340 作者:  Li DB;  Wei HY;  Han XX 收藏  |  浏览/下载：58/22  |  提交时间：2010/03/17 cracks   Crack-free InAlGaN quaternary alloy films grown on Si(111) substrate by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 273, 期号: 1-2, 页码: 79-85 Wu, JJ; Li, DB; Lu, Y; Han, XX; Li, JM; Wei, HY; Kang, TT; Wang, XH; Liu, XL; Zhu, QS; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：74/0  |  提交时间：2010/03/17 cracks   Effect of spontaneous and piezoelectric polarization on intersubband transition in AlxGa1-xN-GaN quantum well 期刊论文  OAI收割 journal of vacuum science & technology b, 2004, 卷号: 22, 期号: 6, 页码: 2568-2573 Li, JM; Lu, YW; Li, DB; Han, XX; Zhu, QS; Liu, XL; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/03/17 RAY PHOTOEMISSION SPECTROSCOPY   Structural and optical properties of 3D growth multilayer InGaN/GaN quantum dots by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 266, 期号: 4, 页码: 423-428 作者:  Li DB;  Han XX;  Han PD 收藏  |  浏览/下载：160/51  |  提交时间：2010/03/09 nanostructure   Dislocation scattering in a two-dimensional electron gas of an AlxGa1-xN/GaN heterostructure 期刊论文  OAI收割 physica status solidi b-basic research, 2004, 卷号: 241, 期号: 13, 页码: 3000-3008 作者:  Han XX;  Li DB 收藏  |  浏览/下载：117/32  |  提交时间：2010/03/09 FIELD-EFFECT TRANSISTORS