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机构
微电子研究所 [15]
采集方式
OAI收割 [15]
内容类型
外文期刊 [15]
发表日期
2010 [1]
2009 [3]
2007 [3]
2006 [2]
2005 [1]
2004 [2]
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共15条,第1-10条
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内容类型:外文期刊
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Effects of Shell Strain on Valence Band Structure and Transport Properties of Ge/Si1-xGex Core-Shell Nanowire
外文期刊
OAI收割
2010
作者:
Zhao, YN
;
Xu, HH
;
Du, G
;
Liu, XY
;
Fan, C
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提交时间:2010/11/26
Field-effect Transistors
Growth
Germanium
Silicon
Vapor
Finite-element study of strain field in strained-Si MOSFET
外文期刊
OAI收割
2009
作者:
Liu, HH
;
Xu, QX
;
Duan, XF
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2010/11/26
Beam Electron-diffraction
Hole Mobility Enhancement
Elastic Relaxation
Layer Superlattices
Effect Transistors
Cmos Performance
Silicon
Specimens
Pmosfets
Design and optimization considerations for bulk gate-all-around nanowire MOSFETs
外文期刊
OAI收割
2009
作者:
Cai, XW
;
Zhou, HJ
;
Xu, QX
;
Song, Y
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提交时间:2010/11/26
Device-simulation
Cmos Devices
Silicon
Performance
Transistors
Fabrication
Diameter
Impact
Enhanced charge storage characteristics of silicon nanocrystals fabricated by electron-beam coevaporation of Si and SiOx(x=1 or 2)
外文期刊
OAI收割
2009
作者:
Li, WL
;
Jia, R
;
Chen, C
;
Wu, NJ
;
Tamotsu, H
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提交时间:2010/11/26
Microcrystalline Silicon
Raman-spectra
Memory
Films
Deposition of SiOx films with a capacitively-coupled plasma at atmospheric pressure
外文期刊
OAI收割
2007
作者:
Xu, XY
;
Li, L
;
Wang, SG
;
Zhao, LL
;
Ye, TC
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2010/11/26
Chemical-vapor-deposition
Silicon Dioxide Films
Discharge
Jet
Fabrication and charging characteristics of MOS capacitor structure with metal nanocrystals embedded in gate oxide
外文期刊
OAI收割
2007
作者:
Guan, WH
;
Long, SB
;
Liu, M
;
Li, ZG
;
Hu, Y
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提交时间:2010/11/26
Atomic-force Microscopy
Silicon Nanocrystals
Si-nanocrystals
Voltage Measurements
Memory
Storage
Retention
Mechanisms
Traps
Photoluminescence of Si-rich SiNx films deposited by LPCVD under different conditions
外文期刊
OAI收割
2007
作者:
Wang, XB
;
Liu, YZ
;
Chen, DP
;
Dong, LJ
;
Chen, C
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提交时间:2010/11/26
Chemical Vapor-deposition
Silicon-nitride
Thin-films
A short-channel SOI RF power LDMOS technology with TiSi2 salicide on dual sidewalls with cutoff frequency f(T) similar to 19.3 GHz
外文期刊
OAI收割
2006
作者:
Yang, R
;
Li, JF
;
Qian, H
;
Lo, GQ
;
Balasubramanian, N
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提交时间:2010/11/26
Thin-film Soi
Device
Mosfet
Cmos
Silicon
Performance
Analog
SOI technology for radio-frequency integrated-circuit applications
外文期刊
OAI收割
2006
作者:
Yang, R
;
Qian, H
;
Li, JF
;
Xu, QX
;
Hai, CH
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提交时间:2010/11/26
Rf-cmos
Silicon
Ghz
Characterization of stress induced in SOS and Si/gamma-Al2O3/Si heteroepitaxial thin films by Raman spectroscopy
外文期刊
OAI收割
2005
作者:
Wang, QY
;
Wang, J
;
Wang, JH
;
Liu, ZL
;
Lin, LY
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2010/11/26
Silicon-on-sapphire
Implanted Silicon
Si
Fabrication
Improvement
Epitaxy
Growth
Layers