Influence of hydrogen impurities on p-type resistivity in Mg-doped GaN films
文献类型:期刊论文
作者 | Jing Yang ; Degang Zhao ; Desheng Jiang ; Ping Chen ; Jianjun Zhu ; Zongshun Liu ; Lingcong Le ; Xiaoguang He ; Xiaojing Li |
刊名 | journal of vacuum science & technology a
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出版日期 | 2015 |
卷号 | 33期号:2页码:021505 |
学科主题 | 光电子学 |
收录类别 | SCI |
语种 | 英语 |
公开日期 | 2016-03-23 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26752] ![]() |
专题 | 半导体研究所_光电子研究发展中心 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Jing Yang,Degang Zhao,Desheng Jiang,et al. Influence of hydrogen impurities on p-type resistivity in Mg-doped GaN films[J]. journal of vacuum science & technology a,2015,33(2):021505. |
APA | Jing Yang.,Degang Zhao.,Desheng Jiang.,Ping Chen.,Jianjun Zhu.,...&Xiaojing Li.(2015).Influence of hydrogen impurities on p-type resistivity in Mg-doped GaN films.journal of vacuum science & technology a,33(2),021505. |
MLA | Jing Yang,et al."Influence of hydrogen impurities on p-type resistivity in Mg-doped GaN films".journal of vacuum science & technology a 33.2(2015):021505. |
入库方式: OAI收割
来源:半导体研究所
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