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Influence of hydrogen impurities on p-type resistivity in Mg-doped GaN films

文献类型:期刊论文

作者Jing Yang ; Degang Zhao ; Desheng Jiang ; Ping Chen ; Jianjun Zhu ; Zongshun Liu ; Lingcong Le ; Xiaoguang He ; Xiaojing Li
刊名journal of vacuum science & technology a
出版日期2015
卷号33期号:2页码:021505
学科主题光电子学
收录类别SCI
语种英语
公开日期2016-03-23
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26752]  
专题半导体研究所_光电子研究发展中心
推荐引用方式
GB/T 7714
Jing Yang,Degang Zhao,Desheng Jiang,et al. Influence of hydrogen impurities on p-type resistivity in Mg-doped GaN films[J]. journal of vacuum science & technology a,2015,33(2):021505.
APA Jing Yang.,Degang Zhao.,Desheng Jiang.,Ping Chen.,Jianjun Zhu.,...&Xiaojing Li.(2015).Influence of hydrogen impurities on p-type resistivity in Mg-doped GaN films.journal of vacuum science & technology a,33(2),021505.
MLA Jing Yang,et al."Influence of hydrogen impurities on p-type resistivity in Mg-doped GaN films".journal of vacuum science & technology a 33.2(2015):021505.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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