In_xGa_(1-x)As/InP应变量子阱中激子跃迁能量随In组分的变化
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王晓亮 ; 孔殿照 ; 孔梅影 ; 侯洵 ; 曾一平 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1998 |
| 卷号 | 19期号:6页码:417 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 资助信息 | 国家863计划 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19247]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王晓亮,孔殿照,孔梅影,等. In_xGa_(1-x)As/InP应变量子阱中激子跃迁能量随In组分的变化[J]. 半导体学报,1998,19(6):417. |
| APA | 王晓亮,孔殿照,孔梅影,侯洵,&曾一平.(1998).In_xGa_(1-x)As/InP应变量子阱中激子跃迁能量随In组分的变化.半导体学报,19(6),417. |
| MLA | 王晓亮,et al."In_xGa_(1-x)As/InP应变量子阱中激子跃迁能量随In组分的变化".半导体学报 19.6(1998):417. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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