机构

• 半导体研究所 [31]
• 微电子研究所 [2]
• 物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [34]

内容类型

• 期刊论文 [27]
• 成果 [6]
• 专利 [1]

发表日期

• 2004 [2]
• 2003 [3]
• 2002 [1]
• 2000 [1]
• 1999 [4]
• 1998 [5]
• 更多

学科主题

• 半导体材料 [28]
• 半导体器件 [2]

筛选

浏览/检索结果: 共34条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 RF—MBE生长的AlGaN／GaN高电子迁移率晶体管特性 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 2, 页码: 121-125 作者:  王晓亮;  胡国新;  王军喜;  刘新宇;  刘键   |  收藏  |   Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs Grown by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 2, 页码: 121-125 Wang Xiaoliang; Hu Guoxin; Wang Junxi; Liu Xinyu; Liu Hongxin; Sun Dianzhao; Zeng Yiping; Qian He; Li Jinmin; Kong Meiying; Lin Lanying 收藏  |   MBE生长的跨导为186mS／mm的AlGaN／GaN HEMT 期刊论文  OAI收割 固体电子学研究与进展, 2003, 卷号: 23, 期号: 4, 页码: 5,484-488 作者:  胡国新;  王军喜;  刘宏新;  孙殿照;  曾一平   |  收藏  |   GSMBE生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术 期刊论文  OAI收割 固体电子学研究与进展, 2003, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 142-144 作者:  刘超 收藏  |   MBE生长的跨导为186 mS/mm的AlGaN/GaN HEMT 期刊论文  OAI收割 固体电子学研究与进展, 2003, 卷号: 23, 期号: 4, 页码: 484-488 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 刘宏新; 孙殿照; 曾一平; 李晋闽; 孔梅影; 林兰英; 刘新宇; 刘键; 钱鹤 收藏  |   气源分子束外延生长锗硅异质结双极晶体管材料掺杂方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 申请日期: 2002-10-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15 黄大定; 李建平; 高斐; 林燕霞; 孙殿照; 刘金平; 朱世荣; 孔梅影 收藏  |   Carrier Depth Profile of Si/SiGe/Si n-p-n HBTStructural Materials Characterized by Electrochemical Capacitance- Voltage Method 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 11, 页码: 1050 林燕霞; 黄大定; 张秀兰; 刘金平; 李建平; 高飞; 孙殿照; 曾一平; 孔梅影 收藏  |   GSMBE外延生长GeSi/Sip-n异质结二极管 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 1999, 卷号: 20, 期号: 4, 页码: 287 作者:  王玉田 收藏  |   低温Si-GSMBE中Si_2H_6的热裂解及对Si生长的影响 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 1999, 卷号: 20, 期号: 7, 页码: 559 李建平; 黄大定; 刘金平; 刘学锋; 李灵宵; 朱世荣; 孙殿照; 孔梅影 收藏  |   GSMBE原位生长SiGeHBT材料 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 1999, 卷号: 20, 期号: 12, 页码: 1049 黄大定; 刘金平; 李建平; 林燕霞; 刘学锋; 李灵霄; 孙殿照; 孔梅影; 林兰英 收藏  |