深亚微米N沟道MOS晶体管的总剂量效应
文献类型：期刊论文
| 作者 | 文林; 李豫东; 郭旗; 孙静; 任迪远; 崔江维; 汪波; 玛丽娅; 郭旗 ; 李豫东; 文林
|
| 刊名 | 微电子学
 |
| 出版日期 | 2015 |
| 卷号 | 45期号:5页码:666-669 |
| 关键词 | 深亚微米 NMOSFET 总剂量效应 窄沟效应 |
| 中文摘要 | 为了研究深亚微米工艺CCD的辐射效应特性,了解因器件特征尺寸变小引入的新效应,对0.18μm商用工艺线上流片的不同沟道宽长比的N型沟道MOSFET器件进行了60Co-γ射线辐照实验,这些NMOSFET与CCD内的MOSFET结构相同。分析了辐照后由于总剂量效应导致的NMOSFET参数退化情况以及参数的常温和高温退火行为。实验结果表明,深亚微米工艺器件的辐射耐受性相比大尺寸器件明显增强,不同沟道宽长比的器件表现出的总剂量效应差异显示了器件具有明显的窄沟效应,界面陷阱电荷在新型器件的总剂量效应中起主导作用。研究结果为大面阵CCD的辐射效应研究和辐射加固设计提供了理论支持。 |
| 资助信息 | 国家自然科学基金资助项目(11005152) |
| 源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/4511]  |
| 专题 | 新疆理化技术研究所_中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室 新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室 固体辐射物理研究室 |
| 作者单位 | 中国科学院新疆理化技术研究所;中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室；新疆电子信息材料与器件重点实验室；中国科学院大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 文林；李豫东；郭旗；孙静；任迪远；崔江维；汪波；玛丽娅；,郭旗,李豫东,等. 深亚微米N沟道MOS晶体管的总剂量效应[J]. 微电子学,2015,45(5):666-669. |
| APA | 文林；李豫东；郭旗；孙静；任迪远；崔江维；汪波；玛丽娅；,郭旗,李豫东,&文林.(2015).深亚微米N沟道MOS晶体管的总剂量效应.微电子学,45(5),666-669. |
| MLA | 文林；李豫东；郭旗；孙静；任迪远；崔江维；汪波；玛丽娅；,et al."深亚微米N沟道MOS晶体管的总剂量效应".微电子学 45.5(2015):666-669. |
入库方式： OAI收割
来源：新疆理化技术研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。