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浏览/检索结果: 共100条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 碳化硅VDMOS的静态和动态辐射损伤及其比较 期刊论文  OAI收割 原子能科学技术, 2022, 卷号: 56, 期号: 4, 页码: 767-774 作者:  冯皓楠1,2,3;  杨圣1,2,3;  梁晓雯1,2,3;  张丹1,2,3;  蒲晓娟1,2,3   |  收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2022/05/06 碳化硅  总剂量效应  静态参数  动态特性  耗尽层   1/f Noise responses of Ultra-Thin Body and Buried oxide FD-SOI PMOSFETs under total ionizing dose irradiation 期刊论文  OAI收割 RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS, 2022, 卷号: 176, 期号: 11-12, 页码: 1202-1214 作者:  Zhang, RQ (Zhang, Ruiqin) [1] , [2] , [3];  Zheng, QW (Zheng, Qiwen) [1] , [2];  Lu, W (Lu, Wu) [1] , [2]   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2022/04/07 Total ionizing dose irradiation  UTBB FD-SOI  1  f noise   一种抗辐射加固SOI材料的总剂量辐射性能评估方法 专利  OAI收割 申请日期: 2021-02-19, 作者:  郑齐文;  崔江维;  余学峰;  李豫东;  郭旗   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2021/12/02 一种总剂量效应与工艺波动耦合的电路仿真方法 专利  OAI收割 申请日期: 2021-01-12, 作者:  郑齐文;  崔江维;  李小龙;  魏莹;  余学峰   |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2021/12/02 一种电路级总剂量辐射效应仿真方法 专利  OAI收割 申请日期: 2021-01-12, 作者:  郑齐文;  崔江维;  李小龙;  魏莹;  余学峰   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2021/12/02 解剖特征引导软式内镜机器人自主介入策略研究 期刊论文  OAI收割 机器人, 2021, 卷号: 43, 期号: 4, 页码: 493-501, 512 作者:  江维;  王重阳;  闫斌;  何啸;  崔唤琦   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2021/08/03 软式内镜  消化道  自主介入  镜体操控  弯曲定向   Impact of TID on Within-Wafer Variability of Radiation-Hardened SOI Wafers 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2021, 卷号: 68, 期号: 7, 页码: 1423-1429 作者:  Zheng, QW (Zheng, Qiwen) 1;  Cui, JW (Cui, Jiangwei) 1;  Yu, XF (Yu, Xuefeng) 1;  Li, YD (Li, Yudong) 1;  Lu, W (Lu, Wu) 1   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2021/08/06 Radiation-hardened (RH)silicon-on-insulator (SOI)total ionizing dose (TID)within-wafer variability   Measurement and Evaluation of the Within-Wafer TID Response Variability on BOX Layer of SOI Technology 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2021, 卷号: 68, 期号: 10, 页码: 2516-2523 作者:  Zheng, QW (Zheng, Qiwen) 1Cui, JW (Cui, Jiangwei) 1Yu, XF (Yu, Xuefeng) 1;  Li, YD (Li, Yudong) 1;  Lu, W (Lu, Wu) 1;  He, CF (He, Chengfa) 1;  Guo, Q (Guo, Qi) 1   |  收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2021/12/06 Threshold voltage  TestingMOSFET circuits  Transistors  Standards  Logic gates  Fluctuations  Buried oxide (BOX)  silicon-on-insulator (SOI)  total ionizing dose (TID)   一种基于阈值电压类型匹配的6-T存储单元抗总剂量加固方法 专利  OAI收割 申请日期: 2020-04-14, 作者:  郑齐文;  崔江维;  余学峰;  陆妩;  孙静   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/11/25 一种基于三维叠层封装SRAM器件的在轨单粒子翻转甄别系统 专利  OAI收割 申请日期: 2020-03-24, 作者:  郑齐文;  崔江维;  余学峰;  陆妩;  孙静   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2020/11/25