Understanding droop effect by analysis on carrier density dependence in InGaN/GaN multiple-quantum-well light-emitting diodes
文献类型：期刊论文
| 作者 | Wei Liu ; Degang Zhao ; Desheng Jiang ; Ping Chen ; Zongshun Liu ; Jianjun Zhu ; Jing Yang ; Xiaoguang He ; Xiaojing Li ; Xiang Li ; Feng Liang ; Jianping Liu ; Liqun Zhang ; Hui Yang ; Yuantao Zhang ; Guotong Du |
| 刊名 | superlattices and microstructures
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| 出版日期 | 2016 |
| 卷号 | 96页码:220-225 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | SCI |
| 公开日期 | 2017-03-10 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27877]  |
| 专题 | 半导体研究所_光电子研究发展中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wei Liu,Degang Zhao,Desheng Jiang,et al. Understanding droop effect by analysis on carrier density dependence in InGaN/GaN multiple-quantum-well light-emitting diodes[J]. superlattices and microstructures,2016,96:220-225. |
| APA | Wei Liu.,Degang Zhao.,Desheng Jiang.,Ping Chen.,Zongshun Liu.,...&Guotong Du.(2016).Understanding droop effect by analysis on carrier density dependence in InGaN/GaN multiple-quantum-well light-emitting diodes.superlattices and microstructures,96,220-225. |
| MLA | Wei Liu,et al."Understanding droop effect by analysis on carrier density dependence in InGaN/GaN multiple-quantum-well light-emitting diodes".superlattices and microstructures 96(2016):220-225. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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