Influence of residual carbon impurities in a heavily Mg-doped GaN contact layer on an Ohmic contact
文献类型：期刊论文
| 作者 | Feng Liang; Degang Zhao; Desheng Jiang; Zongshun Liu; Jianjun Zhu; Ping Chen; Jing Yang; Wei Liu; Xiang Li; Shaungtao Liu |
| 刊名 | Applied Optics
 |
| 出版日期 | 2017 |
| 卷号 | 56期号:14页码:4197-4200 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 公开日期 | 2018-07-11 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28783]  |
| 专题 | 半导体研究所_光电子研究发展中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Feng Liang,Degang Zhao,Desheng Jiang,et al. Influence of residual carbon impurities in a heavily Mg-doped GaN contact layer on an Ohmic contact[J]. Applied Optics,2017,56(14):4197-4200. |
| APA | Feng Liang.,Degang Zhao.,Desheng Jiang.,Zongshun Liu.,Jianjun Zhu.,...&Jian Zhang.(2017).Influence of residual carbon impurities in a heavily Mg-doped GaN contact layer on an Ohmic contact.Applied Optics,56(14),4197-4200. |
| MLA | Feng Liang,et al."Influence of residual carbon impurities in a heavily Mg-doped GaN contact layer on an Ohmic contact".Applied Optics 56.14(2017):4197-4200. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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