总剂量辐射对65 nm NMOSFET热载流子敏感参数的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 苏丹丹; 周航; 郑齐文; 崔江维; 孙静; 马腾; 魏莹; 余学峰 ; 郭旗
|
| 刊名 | 微电子学
 |
| 出版日期 | 2018 |
| 卷号 | 48期号:1页码:126-130 |
| 关键词 | 65 Nm Nmosfet 总剂量效应 热载流子效应 |
| ISSN号 | 1004-3365 |
| DOI | 10.13911/j.cnki.1004-3365.170138 |
| CSCD记录号 | CSCD:6177471 |
| 源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/5249]  |
| 专题 | 新疆理化技术研究所_中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室 新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室 |
| 作者单位 | 1.中国科学院新疆理化技术研究所新疆电子信息材料与器件重点实验室 2.中国科学院大学材料科学与光电技术学院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 苏丹丹,周航,郑齐文,等. 总剂量辐射对65 nm NMOSFET热载流子敏感参数的影响[J]. 微电子学,2018,48(1):126-130. |
| APA | 苏丹丹.,周航.,郑齐文.,崔江维.,孙静.,...&郭旗.(2018).总剂量辐射对65 nm NMOSFET热载流子敏感参数的影响.微电子学,48(1),126-130. |
| MLA | 苏丹丹,et al."总剂量辐射对65 nm NMOSFET热载流子敏感参数的影响".微电子学 48.1(2018):126-130. |
入库方式： OAI收割
来源：新疆理化技术研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。