质子辐照对130nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 马腾; 崔江维; 郑齐文; 魏莹; 赵京昊; 梁晓雯; 余学峰 ; 郭旗
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| 刊名 | 现代应用物理
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| 出版日期 | 2018 |
| 卷号 | 8期号:4 |
| 关键词 | 辐射诱导泄漏电流 栅氧经时击穿 可靠性 质子辐照 部分耗尽soi |
| 英文摘要 | 利用10 MeV质子对130nm部分耗尽SOI MOS器件进行辐照,测试了在不同辐照吸收剂量下,器件的辐射诱导泄漏电流和栅氧经时击穿寿命等参数,分析了质子辐照对器件TDDB可靠性的影响。结果表明:质子辐照器件时,在Si-SiO2界面产生的界面陷阱电荷,增加了电子跃迁的势垒高度,减少了电荷向栅极的注入,减小了器件的RILC,增加了器件的TDDB寿命。 |
| 源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/5483]  |
| 专题 | 新疆理化技术研究所_中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室 新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室 |
| 作者单位 | 1.中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室 2.中国科学院新疆理化技术研究所 3.新疆电子信息材料与器件重点实验室 4.中国科学院大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 马腾,崔江维,郑齐文,等. 质子辐照对130nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响[J]. 现代应用物理,2018,8(4). |
| APA | 马腾.,崔江维.,郑齐文.,魏莹.,赵京昊.,...&郭旗.(2018).质子辐照对130nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响.现代应用物理,8(4). |
| MLA | 马腾,et al."质子辐照对130nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响".现代应用物理 8.4(2018). |
入库方式： OAI收割
来源：新疆理化技术研究所
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