深亚微米栅HFET器件工艺研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 和致经; 郑英奎 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
 |
| 出版日期 | 2000 |
| 卷号 | 6期号:3页码:4，193-196 |
| 关键词 | 混合曝光 Hfet T型栅 工艺研究 深亚微米栅 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 英文摘要 | 通过电子束和接触式曝光相结合的混合曝光方法，并利用复合胶结构，一次电子束曝光制作出具有Ｔ型栅的ＨＦＥＴ（Ｈｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎ Ｆｉｅｌｄ－Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）器件，并对０．１μｍ栅长ＨＦＥＴ器件的整套工艺及器件性能进行了研究。形成了一整套具有新特点的ＨＦＥＴ器件制作工艺，获得了良好的器件性能（ｆｔ＝７８ＧＨｚ；ｇｍ＝４４０ｍｓ／ｍｍ）。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-25 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/632]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 和致经,郑英奎. 深亚微米栅HFET器件工艺研究[J]. 功能材料与器件学报,2000,6(3):4，193-196. |
| APA | 和致经,&郑英奎.(2000).深亚微米栅HFET器件工艺研究.功能材料与器件学报,6(3),4，193-196. |
| MLA | 和致经,et al."深亚微米栅HFET器件工艺研究".功能材料与器件学报 6.3(2000):4，193-196. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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