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采集方式

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内容类型

• 专利 [27]
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发表日期

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学科主题

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浏览/检索结果: 共54条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Partially Crystallized Ultrathin Interfaces between GaN and SiNx Grown by Low-Pressure Chemical Vapor Deposition and Interface Editing 期刊论文  OAI收割 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2021, 卷号: 13 作者:  Wang, Xinhua;  Zhang, Yange;  Huang, Sen;  Yin, Haibo;  Fan, Jie   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2021/04/26 GaN  first-principles  formation mechanism of crystallized Si2N2O  interface editing  LPCVD-SiNx  near-conduction band states   Insight into the Near-Conduction Band States at the Crystallized Interface between GaN and SiN x Grown by Low-Pressure Chemical Vapor Deposition 期刊论文  OAI收割 ACS Applied Materials & Interfaces, 2018 作者:  Wang WW(王文武);  Zheng YK(郑英奎);  Jiang HJ(蒋浩杰);  Wei K(魏珂);  Wang XH(王鑫华)   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/04/19 High-Temperature-Recessed Millimeter-Wave AlGaN/GaN HEMTs With 42.8% Power-Added-Efficiency at 35 GHz 期刊论文  OAI收割 IEEE Electron Device Letters, 2018 作者:  Zheng YK(郑英奎);  Liu GG(刘果果);  Chen XJ(陈晓娟);  Wang XH(王鑫华);  Huang S(黄森)   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/04/19 Ultrathin-Barrier AlGaN/GaN Heterostructure: A Recess-Free Technology for Manufacturing High-Performance GaN-on-Si Power Devices 期刊论文  OAI收割 IEEE Transactions on Electron Devices, 2018 作者:  Shi JY(史敬元);  Fan J(樊捷);  Kang XW(康玄武);  Wang XH(王鑫华);  Huang S(黄森)   |  收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2019/04/19 GaN基HEMT钝化前表面处理优化 会议论文  OAI收割 作者:  魏珂;  肖洋;  张昇;  张一川;  郑英奎   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2018/07/20 基于BCl3/Cl2/Ar气体的ICP刻蚀技术对于GaN HEMT器件肖特基性能的改进 会议论文  OAI收割 作者:  陈晓娟;  王鑫华;  魏珂;  郑英奎;  樊捷   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2018/07/20 Improvement of the GaN/AlGaN HEMTs Performance with BCl3/Cl2/Ar-Based Inductively Coupled Plasma Etching 会议论文  OAI收割 作者:  Wei K(魏珂);  Zheng YK(郑英奎)   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2018/07/20 基于Recess欧姆接触结构的AlGaN/GaN HEMT器件研究 期刊论文  OAI收割 半导体技术, 2017 作者:  魏珂;  陈诗哲;  刘新宇;  王泽卫;  张宗敬   |  收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2018/05/16 GaN基器件肖特基接触可靠性的评价方法 专利  OAI收割 专利号: CN201410005400.1, 申请日期: 2017-03-22, 公开日期: 2014-04-16 作者:  郑英奎;  赵妙;  欧阳思华;  李艳奎;  刘新宇   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2018/02/07 Ultrathin-Barrier AlGaN/GaN Heterostructure: A Recess-Free Technology for Manufacturing High-Performance GaN-on-Si Power Devices 期刊论文  OAI收割 IEEE Transactions on Electron Devices, 2017 作者:  Huang, Sen;  Liu, Xinyu;  Wang, Xinhua;  Kang, Xuanwu;  Zhang, Jinhan   |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2018/02/06