双平面掺杂和单平面掺杂PHEMT器件的性能比较
文献类型：期刊论文
| 作者 | 和致经; 刘新宇 ; 郑英奎; 陈震; 吴德馨
|
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2004 |
| 卷号 | 25期号:3页码:247-251 |
| 关键词 | 赝配高电子迁移率晶体管（phemt） 平面掺杂 线性度 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 研制了A10.24Ga0.76As／In0.22Ga0.78As单平面掺杂PHEMT器件(SH-PHEMT)和双平面掺杂PHEMT器件(DH-PHEMT)，并对其特性进行了比较．由于采用了双异质结、双平面掺杂的设计，DH-PHEMT能将载流子更好地限制在沟道中，得到更大的二维电子气浓度和更均匀的二维电子气分布，这些都有利于提高器件的性能．因此，DH-PHEMT器件具有更好的线性度，在较大的栅压范围内具有高的跨导和更大的电流驱动能力．这说明DH—PHEMT器件更加适用于高线性度应用的微波功率器件． |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1020]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 和致经,刘新宇,郑英奎,等. 双平面掺杂和单平面掺杂PHEMT器件的性能比较[J]. 半导体学报,2004,25(3):247-251. |
| APA | 和致经,刘新宇,郑英奎,陈震,&吴德馨.(2004).双平面掺杂和单平面掺杂PHEMT器件的性能比较.半导体学报,25(3),247-251. |
| MLA | 和致经,et al."双平面掺杂和单平面掺杂PHEMT器件的性能比较".半导体学报 25.3(2004):247-251. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。