输出功率密度为2．23W／mm的X波段AlGaN／GaN功率HEMT器件
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李晋闽; 王晓亮; 刘新宇 ; 胡国新; 王军喜; 马志勇; 王翠梅; 李建平; 冉军学; 郑英奎
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 26期号:10页码:6，1865-1870 |
| 关键词 | Algan／gan 高电子迁移率晶体管 Mocvd 功率器件 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 英文摘要 | 用MOCVD技术在蓝宝石衬底上制备出具有高迁移率GaN沟道层的AlGaN／GaN HEMT材料．高迁移率GaN外延层的室温迁移率达741cm^2／（V·s），相应背景电子浓度为1．52×10^16cm^-3；非有意掺杂高阻GaN缓冲层的室温电阻率超过10^8Ω·cm，相应的方块电阻超过10^12Ω／□．50mm HEMT外延片平均方块电阻为440．9Ω／□，方块电阻均匀性优于96％．用此材料研制出了0．2μm栅长的X波段HEMT功率器件，40μm栅宽的器件跨导达到250mS／mm，特征频率fT为77GHz；0．8mm栅宽的器件电流密度达到1．07A／mm，8GHz时连续波输出功率为1．78W，相应功率密度为2．23W／mm，线性功率增益为13．3dB． |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1124]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李晋闽,王晓亮,刘新宇,等. 输出功率密度为2．23W／mm的X波段AlGaN／GaN功率HEMT器件[J]. 半导体学报,2005,26(10):6，1865-1870. |
| APA | 李晋闽.,王晓亮.,刘新宇.,胡国新.,王军喜.,...&曾一平.(2005).输出功率密度为2．23W／mm的X波段AlGaN／GaN功率HEMT器件.半导体学报,26(10),6，1865-1870. |
| MLA | 李晋闽,et al."输出功率密度为2．23W／mm的X波段AlGaN／GaN功率HEMT器件".半导体学报 26.10(2005):6，1865-1870. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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