等离子体刻蚀凹栅槽影响AlGaN／GaNHEMT栅电流的机理
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘新宇 ; 李诚瞻; 庞磊; 黄俊; 刘键; 郑英奎; 和致经
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| 刊名 | 半 导 体 学 报
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| 出版日期 | 2007 |
| 卷号 | 28期号:11页码:5,1777_1781 |
| 关键词 | 等离子体刻蚀 |
| ISSN号 | 0253_4177 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 对等离子体干法刻蚀形成 的凹栅槽结构A1GaN／GaNHEMTs肖特基电流增加 的机理进行了研究．实验表明,凹栅槽结构 A1GaN／GaNHEMTs肖特基栅电流增加一个数量级以上,击穿电压有一定 程度 的下 降．利用AFM和XPS的方法分析A1GaN表面，等离子体干法刻蚀增加了A1GaN表面粗糙度，甚至出现部分尖峰状突起，增大了栅金属与A1GaN的接触面积；另一方面，等离子体轰击使A1GaN表面出现一定量的N空位，相当于栅金属与Al- GaN接触界面处出现n型掺杂层，使肖特基结的隧道效应加强，降低了肖特基势垒.由此表明，A1GaN表面粗糙度的增加以及一定量的N空位出现是引起栅电流急剧增大的根本原因． |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1582]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘新宇,李诚瞻,庞磊,等. 等离子体刻蚀凹栅槽影响AlGaN／GaNHEMT栅电流的机理[J]. 半 导 体 学 报,2007,28(11):5,1777_1781. |
| APA | 刘新宇.,李诚瞻.,庞磊.,黄俊.,刘键.,...&和致经.(2007).等离子体刻蚀凹栅槽影响AlGaN／GaNHEMT栅电流的机理.半 导 体 学 报,28(11),5,1777_1781. |
| MLA | 刘新宇,et al."等离子体刻蚀凹栅槽影响AlGaN／GaNHEMT栅电流的机理".半 导 体 学 报 28.11(2007):5,1777_1781. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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