一种抗辐照功率MOSFET器件
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王立新 ; 夏洋; 蔡小五; 刘刚; 韩郑生; 刘梦新
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| 刊名 | 核电子学与探测技术
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| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 28期号:6页码:4，1167-1170 |
| 关键词 | 功率mosfet |
| ISSN号 | 0258-0934 |
| 英文摘要 | 报道了一种抗辐射功率MOSFET，通过与国外同类产品的锎源以及钴辐照试验对比，其抗总剂量水平和抗单粒子能力均已达到国际领先水平，并深入研究了单粒子烧毁、单粒子栅穿以及总剂量辐照的机理，提出了大功率MOSFET抗总剂量及单粒子辐射的加固方法。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-27 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1732]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） 微电子研究所_硅器件与集成研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王立新,夏洋,蔡小五,等. 一种抗辐照功率MOSFET器件[J]. 核电子学与探测技术,2008,28(6):4，1167-1170. |
| APA | 王立新,夏洋,蔡小五,刘刚,韩郑生,&刘梦新.(2008).一种抗辐照功率MOSFET器件.核电子学与探测技术,28(6),4，1167-1170. |
| MLA | 王立新,et al."一种抗辐照功率MOSFET器件".核电子学与探测技术 28.6(2008):4，1167-1170. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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