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射频功率LDMOS器件的鲁棒性研究 学位论文  OAI收割
: 中国科学院大学, 2019
作者:  李浩
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3300V SiC MOSFET设计及可靠性研究 学位论文  OAI收割
: 中国科学院大学, 2019
作者:  陈宏
  |  收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2019/09/05
单粒子瞬态脉冲测量与加固技术研究 学位论文  OAI收割
: 中国科学院大学, 2019
作者:  宿晓慧
  |  收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2019/09/05
CMOS脉冲神经元电路的设计与研究 学位论文  OAI收割
: 中国科学院大学, 2019
作者:  程泽军
  |  收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2019/09/05
一种电路仿真方法及装置 专利  OAI收割
专利号: CN201610466018.X, 申请日期: 2018-12-25, 公开日期: 2016-11-16
作者:  
  |  收藏  |  浏览/下载：73/0  |  提交时间：2019/03/01
一种限制器件模型适用温度范围的方法 专利  OAI收割
专利号: CN201510351261.2, 申请日期: 2018-11-27, 公开日期: 2015-10-21
作者:  卜建辉;  赵博华;  罗家俊;  韩郑生
  |  收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2019/03/01
A rad-hard full-function CDS ASIC for X-ray CCD Applications 会议论文  OAI收割
作者:  B.Lu;  J.Huo;  Y.Chen;  Li B(李博);  Liu HN(刘海南)
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一种SOIMOSFET器件的建模方法 专利  OAI收割
专利号: CN201510303560.9, 申请日期: 2018-11-02, 公开日期: 2015-09-30
作者:  卜建辉;  罗家俊;  韩郑生
  |  收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2019/03/01
Anti-Single-Event Technology Based on the Novel Hole-Current Diversionary Structure 会议论文  OAI收割
作者:  Sun X(孙晓);  Yu MF(俞敏锋);  Zhang YF(张彦飞);  Wang LX(王立新);  Liu MX(刘梦新)
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Research on Radiation-Induced Threshold Voltage Shifts in Power MOSFET Based on Charge-Pumping Method 会议论文  OAI收割
作者:  Ding Y(丁艳);  Wang LX(王立新);  Zhang YF(张彦飞);  Liu MX(刘梦新)
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