AlGaN/GaN HEMTs器件布局对器件性能影响分析
文献类型：期刊论文
| 作者 | 魏珂 ; 刘果果; 郑英奎; 刘新宇; 和致经
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| 刊名 | 电子器件
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| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 31期号:6页码:4，1769-1771,1775 |
| 关键词 | Algan/gan Hemt 器件布局 寄生参数 空气桥 |
| ISSN号 | 1005-9490 |
| 英文摘要 | 比较了空气桥跨细栅和空气桥跨栅总线两种源连接结构的1 mm AlGaN/GaN HEMTs器件的特性,对两种结构的管芯进行了等效电路参数提取。测试了两种布局方式下的不同源场板结构器件的射频以及功率性能,比较分析表明,空气桥跨细栅的源连接方式由于有效地降低了栅漏电容以及栅源电容,比空气桥跨栅总线源连接的器件能取得更好的频率特性以及功率特性。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-27 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1754]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 魏珂,刘果果,郑英奎,等. AlGaN/GaN HEMTs器件布局对器件性能影响分析[J]. 电子器件,2008,31(6):4，1769-1771,1775. |
| APA | 魏珂,刘果果,郑英奎,刘新宇,&和致经.(2008).AlGaN/GaN HEMTs器件布局对器件性能影响分析.电子器件,31(6),4，1769-1771,1775. |
| MLA | 魏珂,et al."AlGaN/GaN HEMTs器件布局对器件性能影响分析".电子器件 31.6(2008):4，1769-1771,1775. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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