8W AlGaN/GaN HEMT功率器件的研制
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘果果 ; 郑英奎; 魏珂; 李诚瞻; 刘新宇; 和致经
|
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 29期号:7页码:3，1354-1356 |
| 关键词 | 氮化镓 高电子迁移率晶体管 微波功率 栅场板 |
| ISSN号 | 0253-4178 |
| 英文摘要 | 报道了基于国产衬底以及国产外延的AlGaN/GaN HEMTX波段功率器件的研究进展.利用国产衬底以及外延材料,优化了器件栅场板的结构,研制成功栅长0.35μm,栅宽为1mm的微波功率器件.该器件输出电流密度达到0.83A/mm,击穿电压大于100V,跨导为236mS/mm,截止频率（fT）达到30GHz,最大振荡频率（fmax）为32GHz,8GHz下在片进行连续波测试,漏端电压为40V时测试得到功率增益4.9dB,输出功率达8W,功率附加效率（PAE）为45%. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-27 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1882]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘果果,郑英奎,魏珂,等. 8W AlGaN/GaN HEMT功率器件的研制[J]. 半导体学报,2008,29(7):3，1354-1356. |
| APA | 刘果果,郑英奎,魏珂,李诚瞻,刘新宇,&和致经.(2008).8W AlGaN/GaN HEMT功率器件的研制.半导体学报,29(7),3，1354-1356. |
| MLA | 刘果果,et al."8W AlGaN/GaN HEMT功率器件的研制".半导体学报 29.7(2008):3，1354-1356. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。