碳致深能级引起的AlGaN/GaN HEMT电流崩塌现象
文献类型：期刊论文
| 作者 | 庞磊; 李诚瞻; 王冬冬; 黄俊; 曾轩; 刘新宇 ; 刘键; 郑英奎; 和致经
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 29期号:6页码:4，1066-1069 |
| 关键词 | Algan/gan Hemt |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 英文摘要 | AlGaN/GaN HEMT良好的功率特性虽然被大量报导,但其电流崩塌现象仍是一个令人困扰的问题,作者通过实验证明了导致其电流崩塌的一个因素.两个AlGaN/GaN样片被分别放在纯氮气和掺碳的氮气气氛中快速退火,利用XPS证明了后者中的碳元素含量远远大于前者.比较二者的I-V特性曲线,可发现碳杂质的引入可使AlGaN/GaN HEMT电流崩塌程度大大增加.分析表明：由碳杂质引入导致的深能级使得负栅压下俘获沟道中的载流子在正栅压下不能立刻释放,从而引起AlGaN/GaN HEMT中的电流崩塌现象. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-27 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1886]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 庞磊,李诚瞻,王冬冬,等. 碳致深能级引起的AlGaN/GaN HEMT电流崩塌现象[J]. 半导体学报,2008,29(6):4，1066-1069. |
| APA | 庞磊.,李诚瞻.,王冬冬.,黄俊.,曾轩.,...&和致经.(2008).碳致深能级引起的AlGaN/GaN HEMT电流崩塌现象.半导体学报,29(6),4，1066-1069. |
| MLA | 庞磊,et al."碳致深能级引起的AlGaN/GaN HEMT电流崩塌现象".半导体学报 29.6(2008):4，1066-1069. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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