钝化前表面预处理对AlGaN/GaN HEMTs性能的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李诚瞻; 刘丹; 郑英奎 ; 刘新宇; 刘键; 魏珂; 和致经
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 29期号:2页码:5，329-333 |
| 关键词 | Algan/gan Hemts 钝化 表面预处理 初始氧化层 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 英文摘要 | 提出一种新的钝化技术——采用盐酸和氢氟酸混合预处理溶液（HF：HCl：H2O=1：4：20）对AlGaN/GaNHEMTs进行表面预处理后再淀积Si3N4钝化,研究了新型钝化技术对AlGaN/GaNHEMTs性能的影响并分析其机理.与用常规方法钝化的器件相比,经过表面预处理再钝化,成功地抑制了AlGaN/GaNHEMTs肖特基特性的恶化,有效地增强抑制电流崩塌效应的能力,将GaN基HEMTs的输出功率密度提高到5.2W/mm,并展现良好的电学可靠性.通过X射线光电子谱（XPS）检测预处理前后的AlGaN表面,观察到经过预处理后的AlGaN表面氧元素的含量大幅度下降.表面氧元素的含量下降,能有效地降低表面态密度和表面电荷陷阱密度,被认为是提高AlGaN/GaNHEMTs性能的主要原因. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-27 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1930]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李诚瞻,刘丹,郑英奎,等. 钝化前表面预处理对AlGaN/GaN HEMTs性能的影响[J]. 半导体学报,2008,29(2):5，329-333. |
| APA | 李诚瞻.,刘丹.,郑英奎.,刘新宇.,刘键.,...&和致经.(2008).钝化前表面预处理对AlGaN/GaN HEMTs性能的影响.半导体学报,29(2),5，329-333. |
| MLA | 李诚瞻,et al."钝化前表面预处理对AlGaN/GaN HEMTs性能的影响".半导体学报 29.2(2008):5，329-333. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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