本发明涉及宽禁带半导体材料器件制作技术领域，公开了一种电子束 对准标记的制作方法，包括：A.对衬底材料进行光刻，同时形成电子束 对准标记和源漏极图形，并蒸发源漏极金属；B.对衬底材料进行光刻， 在电子束对准标记周围形成方形标记区域；C.对衬底材料进行表面刻蚀； D.腐蚀电子束对准标记处的掩膜金属，形成电子束对准标记。本发明同 时公开了一种利用电子束对准标记制作有效栅线条的方法。利用本发明， 有效避免了高温退火中容易发生形貌变化的金属对准标记，利用衬底材料 的高度差作为对准标记；同时解决了多步光刻形成电子束标记图形和源漏 图形引入的机械误差和人为误差，避免了电子束光刻过程中出现的对准偏 差。