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一种电子束对准标记的制作方法及其应用

文献类型:专利

作者郑英奎; 魏珂; 刘新宇; 刘果果; 和致经
发表日期2009-06-03
专利号CN200610127868.3
著作权人中国科学院微电子研究所
国家中国
文献子类发明专利
英文摘要

本发明公开了一种电子束对准标记的制作方法,采用Ti/Pt金属结构 作为对准标记的金属结构,对衬底材料采用光刻方法进行光刻,在衬底材 料最顶层的铝镓氮外延层形成电子束对准标记。本发明同时公开了一种利 用电子束对准标记制作有效栅线条方法,A.对衬底材料采用光刻方法进 行光刻,形成电子束对准标记,并蒸发标记金属Ti/Pt;B.对衬底材料采 用光刻方法进行光刻,形成源漏图形,并蒸发源漏金属;C.退火合金, 形成良好的欧姆接触;D.有源区离子注入隔离;E.电子束光刻,完成栅 线条曝光;F.蒸发栅金属,形成有效栅线条。利用本发明,有效解决了 高温退火后对准标记金属形貌发生变化而导致电子束曝光机无法准确辨 认对准标记的问题。

公开日期2008-03-26
申请日期2006-09-22
语种中文
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/8072]  
专题微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年)
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
郑英奎,魏珂,刘新宇,等. 一种电子束对准标记的制作方法及其应用. CN200610127868.3. 2009-06-03.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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