栅极触发PDSOI CMOS闩锁效应研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 曾传滨 ; 韩郑生; 李多力; 海潮和
|
| 刊名 | 半导体技术
 |
| 出版日期 | 2009 |
| 卷号 | 34期号:11页码:5，1135-1139 |
| 关键词 | 金属氧化物半导体 绝缘体上硅 闩锁 敏感区 栅极触发 临界下降沿 |
| ISSN号 | 1003-353X |
| 其他题名 | Study on the Gate Triggered PDSOI CMOS Latch Effect |
| 英文摘要 | 测试了不同静态栅极触发电压（输入电压）下诱发CMOS闩锁效应需要的电源电压和输出电压（即将闩锁时的输出电压）,发现静态栅极触发CMOS闩锁效应存在触发电流限制和维持电压限制两种闩锁触发限制模式,并且此栅极触发电压-输出电压曲线是动态栅极触发CMOS闩锁效应敏感区域与非敏感区域的分界线。通过改变输出端负载电容,测试出了不同电源电压下CMOS闩锁效应需要的栅极触发电压临界下降沿,并拟合出了0 pF负载电容时的临界下降沿,最终得出了PDSOI CMOS电路存在的CMOS闩锁效应很难通过电学方法测试出来的结论。[著者文摘] |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-06-01 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/2116]  |
| 专题 | 微电子研究所_硅器件与集成研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 曾传滨,韩郑生,李多力,等. 栅极触发PDSOI CMOS闩锁效应研究[J]. 半导体技术,2009,34(11):5，1135-1139. |
| APA | 曾传滨,韩郑生,李多力,&海潮和.(2009).栅极触发PDSOI CMOS闩锁效应研究.半导体技术,34(11),5，1135-1139. |
| MLA | 曾传滨,et al."栅极触发PDSOI CMOS闩锁效应研究".半导体技术 34.11(2009):5，1135-1139. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。