PDSOINMOS／CMOS闩锁特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 海潮和; 李晶 ; 李多力; 韩郑生; 曾传滨
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| 刊名 | 功能材料与器件学报
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| 出版日期 | 2009 |
| 卷号 | 15期号:5页码:6，429-434 |
| 关键词 | 绝缘体上的硅 闩锁 金属氧化物半导体 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 其他题名 | Latch behavior in partially- depleted SOI（PDSOI） NMOS/CMOS |
| 英文摘要 | 本文研究了部分耗尽绝缘体上的硅（PDSOI）NMOS、CMOS结构的闩锁（latch）特性。提出了一种体电极触发诱发PDSOINMOS器件闩锁效应维持电压的测试方法，并用此方法测试出了不同栅长、栅宽和体接触结构NMOS／CMOS的闩锁效应维持电压，以及沟道注入条件和温度对维持电压的影响。[著者文摘] |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-06-01 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/2118]  |
| 专题 | 微电子研究所_硅器件与集成研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 海潮和,李晶,李多力,等. PDSOINMOS／CMOS闩锁特性[J]. 功能材料与器件学报,2009,15(5):6，429-434. |
| APA | 海潮和,李晶,李多力,韩郑生,&曾传滨.(2009).PDSOINMOS／CMOS闩锁特性.功能材料与器件学报,15(5),6，429-434. |
| MLA | 海潮和,et al."PDSOINMOS／CMOS闩锁特性".功能材料与器件学报 15.5(2009):6，429-434. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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