LDMOS器件静电放电失效原理及防护方法
文献类型：期刊论文
| 作者 | 杜寰; 刘梦新; 陈蕾; 宋李梅 |
| 刊名 | 半导体技术
 |
| 出版日期 | 2009 |
| 卷号 | 34期号:10页码:6，968-973 |
| 关键词 | 横向双扩散场效应晶体管 静电放电防护 深漏极注入 击穿现象 |
| ISSN号 | 1003-353X |
| 其他题名 | Failure Mechanism and Protection of LDMOS Device Under ESD Stress |
| 英文摘要 | 探讨了LDMOS器件在静电放电脉冲作用下的失效现象和机理,阐述了LDMOS器件受到静电放电脉冲冲击后出现的软击穿现象,和由于寄生npn管导通产生的大电流引起器件局部温度过高,导致金属接触孔熔融的器件二次击穿现象。分析对比了不同栅宽、不同LOCOS长度和埋层结构LDMOS器件的静电放电防护性能,证实了带埋层的深漏极注入双RESURF结构LDMOS器件在静电放电防护方面的显著优势。[著者文摘] |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-06-01 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/2120]  |
| 专题 | 微电子研究所_硅器件与集成研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杜寰,刘梦新,陈蕾,等. LDMOS器件静电放电失效原理及防护方法[J]. 半导体技术,2009,34(10):6，968-973. |
| APA | 杜寰,刘梦新,陈蕾,&宋李梅.(2009).LDMOS器件静电放电失效原理及防护方法.半导体技术,34(10),6，968-973. |
| MLA | 杜寰,et al."LDMOS器件静电放电失效原理及防护方法".半导体技术 34.10(2009):6，968-973. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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