部分耗尽SOI NMOSFET总剂量辐照的最坏偏置
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘梦新 ; 卜建辉; 胡爱斌; 韩郑生
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| 刊名 | 半导体技术
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| 出版日期 | 2009 |
| 卷号 | 34期号:1页码:4，65-68 |
| 关键词 | 绝缘体上硅 总剂量效 最坏偏置 部分耗尽 辐照 |
| ISSN号 | 1003-353X |
| 英文摘要 | 通过模拟对ON、OFF、TG三种偏置下PD SOI NMOSFET的总剂量辐照效应进行了研究。模拟发现正沟道的最坏偏置是ON偏置，背沟道的最坏偏置与总剂量有关。当总剂量大时，背沟道的最坏偏置是OFF偏置；当总剂量小时则是TG偏置。而NMOSFET的最坏偏置则取决于起主要作用的是正栅还是背栅。由于辐照产生电子空穴对的过程与电场分布强相关，通过分析不同偏置下电场分布的差异确定最坏偏置的内在机制。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-06-01 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/2128]  |
| 专题 | 微电子研究所_硅器件与集成研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘梦新,卜建辉,胡爱斌,等. 部分耗尽SOI NMOSFET总剂量辐照的最坏偏置[J]. 半导体技术,2009,34(1):4，65-68. |
| APA | 刘梦新,卜建辉,胡爱斌,&韩郑生.(2009).部分耗尽SOI NMOSFET总剂量辐照的最坏偏置.半导体技术,34(1),4，65-68. |
| MLA | 刘梦新,et al."部分耗尽SOI NMOSFET总剂量辐照的最坏偏置".半导体技术 34.1(2009):4，65-68. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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