一种辐照加固的500M锁相环设计
文献类型：期刊论文
| 作者 | 吕荫学 |
| 刊名 | 半导体技术
 |
| 出版日期 | 2011 |
| 英文摘要 | 设计了一款与CSMCO.5μm CMOS 工艺兼容的频率为500MHz 的辐照加固整数型锁电路，研究了总剂量辐照以及单粒子事件对锁相环电路主要模块及整个系统性能的影响。此通过修正BSIM3V3模型的参数以及是假脉冲电流源来模拟总剂量辐照效应和单粒子事件，相环整体电路进行了电路模拟仿真以及版图寄生参数提取后仿真。 |
| 公开日期 | 2012-11-15 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/9237]  |
| 专题 | 微电子研究所_硅器件与集成研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吕荫学. 一种辐照加固的500M锁相环设计[J]. 半导体技术,2011. |
| APA | 吕荫学.(2011).一种辐照加固的500M锁相环设计.半导体技术. |
| MLA | 吕荫学."一种辐照加固的500M锁相环设计".半导体技术 (2011). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。