逆导型IGBT发展概述
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张文亮; 朱阳军; 谈景飞; 田晓丽 |
| 刊名 | 半导体技术
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| 出版日期 | 2012-11-01 |
| 公开日期 | 2013-11-04 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/11575]  |
| 专题 | 微电子研究所_硅器件与集成研发中心 |
| 通讯作者 | 朱阳军 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张文亮,朱阳军,谈景飞,等. 逆导型IGBT发展概述[J]. 半导体技术,2012. |
| APA | 张文亮,朱阳军,谈景飞,&田晓丽.(2012).逆导型IGBT发展概述.半导体技术. |
| MLA | 张文亮,et al."逆导型IGBT发展概述".半导体技术 (2012). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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