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Trench SJ IGBT 的仿真研究

文献类型:期刊论文

作者王波; 张文亮; 朱阳军; 谈景飞
刊名Journal of Semiconductors
出版日期2012-11-01
公开日期2013-11-04
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/11577]  
专题微电子研究所_硅器件与集成研发中心
通讯作者朱阳军
推荐引用方式
GB/T 7714
王波,张文亮,朱阳军,等. Trench SJ IGBT 的仿真研究[J]. Journal of Semiconductors,2012.
APA 王波,张文亮,朱阳军,&谈景飞.(2012).Trench SJ IGBT 的仿真研究.Journal of Semiconductors.
MLA 王波,et al."Trench SJ IGBT 的仿真研究".Journal of Semiconductors (2012).

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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