氮氟复合注入对注氧隔离 SOI 材料埋氧层内固定正电荷密度的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 郑中山; 张百强; 于芳 |
| 刊名 | 物理学报
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| 出版日期 | 2013-02-21 |
| 英文摘要 | 为了抑制埋层注氮导致的埋层内正电荷密度的上升, 本文采用氮氟复合注入方式, 向先行注氮的埋层进行了注氮之后的氟离子注入, 并经适当的退火, 对埋层进行改性. 利用高频电容 - 电压 (C-V) 表征技术, 对复合注入后的埋层进行了正电荷密度的表征. 结果表明, 在大多数情况下, 氮氟复合注入能够有效地降低注氮埋层内的正电荷密度,且其降低的程度与注氮后的退火时间密切相关. 分析认为, 注氟导致注氮埋层内的正电荷密度降低的原因是在埋层中引入了与氟相关的电子陷阱. 另外, 实验还观察到, 在个别情况下, 氮氟复合注入引起了埋层内正电荷密度的进一步上升. 结合测量结果, 讨论分析了该现象产生的原因 |
| 公开日期 | 2014-10-22 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/11758]  |
| 专题 | 微电子研究所_硅器件与集成研发中心 |
| 通讯作者 | 张百强 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郑中山,张百强,于芳. 氮氟复合注入对注氧隔离 SOI 材料埋氧层内固定正电荷密度的影响[J]. 物理学报,2013. |
| APA | 郑中山,张百强,&于芳.(2013).氮氟复合注入对注氧隔离 SOI 材料埋氧层内固定正电荷密度的影响.物理学报. |
| MLA | 郑中山,et al."氮氟复合注入对注氧隔离 SOI 材料埋氧层内固定正电荷密度的影响".物理学报 (2013). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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