The STI stress effect on deep submicron PDSOI MOSFETs
文献类型：期刊论文
| 作者 | Luo JJ(罗家俊) ; Bu JH(卜建辉); Li SZ(李书振); Han ZS(韩郑生)
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| 刊名 | Journal of Semiconductors
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| 出版日期 | 2014-03-01 |
| 卷号 | 35期号:3页码:034008-1 |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2015-04-10 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/12460]  |
| 专题 | 微电子研究所_硅器件与集成研发中心 |
| 通讯作者 | Bu JH(卜建辉) |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Luo JJ,Bu JH,Li SZ,et al. The STI stress effect on deep submicron PDSOI MOSFETs[J]. Journal of Semiconductors,2014,35(3):034008-1. |
| APA | Luo JJ,Bu JH,Li SZ,&Han ZS.(2014).The STI stress effect on deep submicron PDSOI MOSFETs.Journal of Semiconductors,35(3),034008-1. |
| MLA | Luo JJ,et al."The STI stress effect on deep submicron PDSOI MOSFETs".Journal of Semiconductors 35.3(2014):034008-1. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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