A Simulation Model for PDSOI MOSFETs
文献类型：会议论文
| 作者 | Li Y(李莹); Luo JJ(罗家俊) ; Han ZS(韩郑生); Bu JH(卜建辉)
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| 出版日期 | 2014-11-13 |
| 会议录 | IEEE 12th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology
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| 语种 | 英语 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/12828]  |
| 专题 | 微电子研究所_硅器件与集成研发中心 |
| 通讯作者 | Bu JH(卜建辉) |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Li Y,Luo JJ,Han ZS,et al. A Simulation Model for PDSOI MOSFETs[C]. 见:. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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