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SOI MOS器件的建模方法

文献类型:专利

作者毕津顺; 罗家俊; 韩郑生; 卜建辉
发表日期2014-10-15
专利号CN201210248270.5
著作权人中国科学院微电子研究所
国家中国
文献子类发明专利
英文摘要

本发明提供了一种SOI?MOS器件的建模方法,其中该SOI?MOS器件为源漏注入不到底的SOI?MOS器件,该方法包括:a)建立包含模拟源漏注入到底的SOI?MOS器件的初级MOS器件模型以及模拟源体PN结底面电容的源体PN结底面电容模型和模拟漏体PN结底面电容的漏体PN结底面电容模型的总体模型;b)对总体模型中的初级MOS器件模型和源体PN结底面电容模型和漏体PN结底面电容模型分别进行参数提取。本发明提供的建模方法考虑源漏注入不到底的SOI?MOS器件中源体结底面电容以及漏体结底面电容对于器件性能的影响,提高了模型的精确度,能够有效的运用于对器件的仿真设计。

公开日期2012-11-21
申请日期2012-07-17
语种中文
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/12882]  
专题微电子研究所_硅器件与集成研发中心
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
毕津顺,罗家俊,韩郑生,等. SOI MOS器件的建模方法. CN201210248270.5. 2014-10-15.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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