SOI MOS器件的建模方法
文献类型:专利
作者 | 毕津顺![]() ![]() ![]() ![]() |
发表日期 | 2014-10-15 |
专利号 | CN201210248270.5 |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明提供了一种SOI?MOS器件的建模方法,其中该SOI?MOS器件为源漏注入不到底的SOI?MOS器件,该方法包括:a)建立包含模拟源漏注入到底的SOI?MOS器件的初级MOS器件模型以及模拟源体PN结底面电容的源体PN结底面电容模型和模拟漏体PN结底面电容的漏体PN结底面电容模型的总体模型;b)对总体模型中的初级MOS器件模型和源体PN结底面电容模型和漏体PN结底面电容模型分别进行参数提取。本发明提供的建模方法考虑源漏注入不到底的SOI?MOS器件中源体结底面电容以及漏体结底面电容对于器件性能的影响,提高了模型的精确度,能够有效的运用于对器件的仿真设计。 |
公开日期 | 2012-11-21 |
申请日期 | 2012-07-17 |
语种 | 中文 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/12882] ![]() |
专题 | 微电子研究所_硅器件与集成研发中心 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 毕津顺,罗家俊,韩郑生,等. SOI MOS器件的建模方法. CN201210248270.5. 2014-10-15. |
入库方式: OAI收割
来源:微电子研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。