MOS器件的建模方法
文献类型:专利
作者 | 卜建辉![]() ![]() ![]() ![]() |
发表日期 | 2014-11-26 |
专利号 | CN201210212516.3 |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明提供了一种MOS器件的建模方法,所述MOS器件在源端包括第一类型的STI结构,在漏端包括第二类型的STI结构,该方法包括:a)建立定义器件的沟道区到第一类型的STI结构的距离以及到第二类型的STI结构的距离的一组参数;b)建立所述一组参数对迁移率的影响的解析模型,所述解析模型包含待确定的系数;c)对在源端和漏端都包含第一类型的STI结构的第一类型MOS器件和在源端和漏端都包含第二类型的STI结构的第二类型MOS器件进行测试,获得测试数据;d)根据所述测试数据确定所述解析模型的系数。本发明提供的建模方法,简单易行,可操作性强,有较广的适用范围。 |
公开日期 | 2012-10-03 |
申请日期 | 2012-06-21 |
语种 | 中文 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/12884] ![]() |
专题 | 微电子研究所_硅器件与集成研发中心 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 卜建辉,罗家俊,韩郑生,等. MOS器件的建模方法. CN201210212516.3. 2014-11-26. |
入库方式: OAI收割
来源:微电子研究所
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