本发明提供了一种MOS器件的建模方法，所述MOS器件在源端包括第一类型的STI结构，在漏端包括第二类型的STI结构，该方法包括：a）建立定义器件的沟道区到第一类型的STI结构的距离以及到第二类型的STI结构的距离的一组参数；b）建立所述一组参数对迁移率的影响的解析模型，所述解析模型包含待确定的系数；c）对在源端和漏端都包含第一类型的STI结构的第一类型MOS器件和在源端和漏端都包含第二类型的STI结构的第二类型MOS器件进行测试，获得测试数据；d）根据所述测试数据确定所述解析模型的系数。本发明提供的建模方法，简单易行，可操作性强，有较广的适用范围。