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MOS器件的建模方法

文献类型:专利

作者卜建辉; 罗家俊; 韩郑生; 毕津顺
发表日期2014-11-26
专利号CN201210212516.3
著作权人中国科学院微电子研究所
国家中国
文献子类发明专利
英文摘要

本发明提供了一种MOS器件的建模方法,所述MOS器件在源端包括第一类型的STI结构,在漏端包括第二类型的STI结构,该方法包括:a)建立定义器件的沟道区到第一类型的STI结构的距离以及到第二类型的STI结构的距离的一组参数;b)建立所述一组参数对迁移率的影响的解析模型,所述解析模型包含待确定的系数;c)对在源端和漏端都包含第一类型的STI结构的第一类型MOS器件和在源端和漏端都包含第二类型的STI结构的第二类型MOS器件进行测试,获得测试数据;d)根据所述测试数据确定所述解析模型的系数。本发明提供的建模方法,简单易行,可操作性强,有较广的适用范围。

公开日期2012-10-03
申请日期2012-06-21
语种中文
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/12884]  
专题微电子研究所_硅器件与集成研发中心
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
卜建辉,罗家俊,韩郑生,等. MOS器件的建模方法. CN201210212516.3. 2014-11-26.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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