一种PN结结深测试方法
文献类型:专利
作者 | 毕津顺![]() ![]() ![]() ![]() |
发表日期 | 2014-07-02 |
专利号 | CN201210212571.2 |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明提供了一种PN结结深测算方法,该方法包括以下步骤:一种PN结结深测算方法,该方法包括以下步骤:a)测量阱区方阻;b)在阱区中形成结型场效应晶体管,改变栅极电压并测量源漏电阻;c)根据测得的方阻、源漏电阻以及所述结型场效应晶体管的相关工艺参数计算出PN结结深。与现有技术相比,采用本发明提供的技术方案通过电学测量对PN结结深予以测算,简单易行,可重复性好。 |
公开日期 | 2012-10-17 |
申请日期 | 2012-06-21 |
语种 | 中文 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/12886] ![]() |
专题 | 微电子研究所_硅器件与集成研发中心 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 毕津顺,韩郑生,罗家俊,等. 一种PN结结深测试方法. CN201210212571.2. 2014-07-02. |
入库方式: OAI收割
来源:微电子研究所
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