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一种PN结结深测试方法

文献类型:专利

作者毕津顺; 韩郑生; 罗家俊; 卜建辉
发表日期2014-07-02
专利号CN201210212571.2
著作权人中国科学院微电子研究所
国家中国
文献子类发明专利
英文摘要

 本发明提供了一种PN结结深测算方法,该方法包括以下步骤:一种PN结结深测算方法,该方法包括以下步骤:a)测量阱区方阻;b)在阱区中形成结型场效应晶体管,改变栅极电压并测量源漏电阻;c)根据测得的方阻、源漏电阻以及所述结型场效应晶体管的相关工艺参数计算出PN结结深。与现有技术相比,采用本发明提供的技术方案通过电学测量对PN结结深予以测算,简单易行,可重复性好。

公开日期2012-10-17
申请日期2012-06-21
语种中文
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/12886]  
专题微电子研究所_硅器件与集成研发中心
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
毕津顺,韩郑生,罗家俊,等. 一种PN结结深测试方法. CN201210212571.2. 2014-07-02.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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