一种IGBT的版图布局
文献类型：专利
| 作者 | 赵佳; 朱阳军; 陆江; 田晓丽; 左小珍 |
| 发表日期 | 2012-11-23 |
| 专利号 | ZL201320121908.9 |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所，上海联星电子有限公司，江苏中科君芯科技有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 实用新型 |
| 英文摘要 | 本实用新型公开了一种IGBT的版图，属于大功率半导体器件技术领域。该版图包括有源区、Gatebus、终端区、栅PAD、源PAD和Gatefinger，有源区由并联的元胞构成，在有源区的外围有一周Gatebus，在Gatebus的外围一周有终端区,有源区内部有栅PAD，栅PAD位于IGBT的芯片中央、多个源PAD由Gatefinger间隔分布。本实用新型不仅保证了芯片各处传导的栅压基本均等，使电流分布均匀，器件参数一致性良好。同时，还大大减弱了电流集中产生的热集中现象，提高了器件可靠性，适用于大电流芯片及更便于封装。 |
| 公开日期 | 2015-05-26 |
| 状态 | 公开 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/13094]  |
| 专题 | 微电子研究所_硅器件与集成研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵佳,朱阳军,陆江,等. 一种IGBT的版图布局. ZL201320121908.9. 2012-11-23. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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