一种ESD防护电阻
文献类型：专利
| 作者 | 李晶 ; 罗家俊; 韩郑生; 李多力; 曾传滨; 海潮和
|
| 发表日期 | 2012-08-08 |
| 专利号 | CN201120565124.6 |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 实用新型 |
| 英文摘要 | 本实用新型公开了一种ESD防护电阻，属于半导体技术领域。该ESD防护电阻包括电阻导电区、阳极、阴极、第Ⅰ隔离层、第Ⅱ隔离层、第Ⅲ隔离层和衬底。该ESD防护电阻利用第Ⅰ隔离层、第Ⅱ隔离层和第Ⅲ隔离层提供的电学隔离和热学隔离，使得当通过电阻的ESD电流越大时，电阻越大，电阻承载的电压降越大，限流能力也越好。 |
| 申请日期 | 2011-12-29 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/14685]  |
| 专题 | 微电子研究所_硅器件与集成研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李晶,罗家俊,韩郑生,等. 一种ESD防护电阻. CN201120565124.6. 2012-08-08. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。