一种CMOS集成电路抗单粒子辐照加固电路
文献类型：专利
| 作者 | 罗家俊 ; 韩郑生; 海潮和; 毕津顺
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| 发表日期 | 2012-10-17 |
| 专利号 | CN200910244523.X |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种CMOS集成电路抗单粒子辐照加固电路，该电路包括一个容易发生单粒子翻转的逻辑门电路(100)和一个冗余逻辑门电路(101)，逻辑门电路(100)和冗余逻辑门电路(101)共用一个输入端，逻辑门电路(100)的输出端与冗余逻辑门电路(101)的输出端之间连接有第一二极管(102)和第二二极管(103)，且第一二极管(102)和第二二极管(103)的导通方向相反。本发明提供的CMOS集成电路抗单粒子辐照加固电路，对CMOS集成电路中敏感的逻辑门电路进行抗辐照加固，在集成电路面积和速度之间折中，明显提高了CMOS集成电路抗单粒子翻转的水平。 |
| 公开日期 | 2011-07-06 |
| 申请日期 | 2009-12-30 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/14701]  |
| 专题 | 微电子研究所_硅器件与集成研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 罗家俊,韩郑生,海潮和,等. 一种CMOS集成电路抗单粒子辐照加固电路. CN200910244523.X. 2012-10-17. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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