本发明公开了一种CMOS集成电路抗辐照加固电路，该电路包括一个容易发生单粒子翻转的逻辑门电路(100)和一个冗余逻辑门电路(101)，逻辑门电路(100)和冗余逻辑门电路(101)共用一个输入端，逻辑门电路(100)的输出端与冗余逻辑门电路(101)的输出端之间连接有两个并联连接的场效应晶体管，一个为n型沟道场效应晶体管(102)，一个为p型沟道场效应晶体管(103)。利用本发明，对CMOS集成电路中敏感的逻辑门电路进行抗辐照加固，在集成电路面积和速度之间折中，明显提高了CMOS集成电路抗单粒子翻转的水平。