本发明涉及一种绝缘体上硅器件及其制备方法，属于半导体器件技术领域。所述绝缘体上硅器件为采用p型绝缘体上硅晶圆制备的绝缘体上硅器件，包括p型底部硅衬底、埋氧层以及形成于顶层硅膜内的N型场效应晶体管和P型场效应晶体管，所述N型场效应晶体管和P型场效应晶体管分别位于体区中，均包括漏极、源极、栅极和体引出部分；所述包含N型场效应晶体管的体区和包含P型场效应晶体管体区之间是电学隔离的。本发明的绝缘体上硅器件可以有效地抑制浮体效应，源漏对称，无额外寄生电容，在保持SOI电路优势的同时，可以最大程度地与主流体硅工艺和设计兼容。