一种SOI_MOSFET的热阻提取方法
文献类型:专利
作者 | 李莹![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
发表日期 | 2016-03-23 |
专利号 | CN201310339890.4 |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明提供了一种SOI_MOSFET的热阻提取方法,该方法包括以下步骤:设计一种器件,所述器件的栅结构的两端都引出连线;在不同温度下测试所述栅结构的电阻,获得其电阻随温度变化的特性;在常温下,使所述器件处于工作状态,测试此时所述栅结构的电阻;将所述栅结构在常温工作状态下的电阻代入温度变化特性中,得到工作状态下器件的真实温度,进而求出热阻。与现有技术相比,采用本发明提供的技术方案具有如下优点:通过利用栅电阻的温度特性来提取器件的热阻,简单易行,避免了使用PIV设备带来成本过高的问题。 |
公开日期 | 2013-11-27 |
申请日期 | 2013-08-06 |
语种 | 中文 |
源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/15503] ![]() |
专题 | 微电子研究所_硅器件与集成研发中心 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 李莹,毕津顺,李书振,等. 一种SOI_MOSFET的热阻提取方法. CN201310339890.4. 2016-03-23. |
入库方式: OAI收割
来源:微电子研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。