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一种SOI_MOSFET的热阻提取方法

文献类型:专利

作者李莹; 毕津顺; 李书振; 罗家俊; 韩郑生; 卜建辉
发表日期2016-03-23
专利号CN201310339890.4
著作权人中国科学院微电子研究所
国家中国
文献子类发明专利
英文摘要

本发明提供了一种SOI_MOSFET的热阻提取方法,该方法包括以下步骤:设计一种器件,所述器件的栅结构的两端都引出连线;在不同温度下测试所述栅结构的电阻,获得其电阻随温度变化的特性;在常温下,使所述器件处于工作状态,测试此时所述栅结构的电阻;将所述栅结构在常温工作状态下的电阻代入温度变化特性中,得到工作状态下器件的真实温度,进而求出热阻。与现有技术相比,采用本发明提供的技术方案具有如下优点:通过利用栅电阻的温度特性来提取器件的热阻,简单易行,避免了使用PIV设备带来成本过高的问题。

公开日期2013-11-27
申请日期2013-08-06
语种中文
源URL[http://159.226.55.106/handle/172511/15503]  
专题微电子研究所_硅器件与集成研发中心
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
李莹,毕津顺,李书振,等. 一种SOI_MOSFET的热阻提取方法. CN201310339890.4. 2016-03-23.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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