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SOI H栅MOS器件的建模方法

文献类型:专利

作者卜建辉; 毕津顺; 罗家俊; 韩郑生
发表日期2015-05-27
专利号CN201210536882.4
著作权人中国科学院微电子研究所
国家中国
文献子类发明专利
英文摘要

本发明提供了一种SOI?MOS器件的建模方法,其中该SOI?MOS器件为H型栅的SOI?MOS器件,该方法包括:a)建立包含模拟条形栅的SOI?MOS器件的初级MOS器件模型以及模拟延伸源体PN结侧面电容的源体PN结侧面电容模型和模拟延伸漏体PN结侧面电容的延伸漏体PN结侧面电容模型的总体模型;b)对总体模型中的初级MOS器件模型和延伸源体PN结侧面电容模型和延伸漏体PN结侧面电容模型分别进行参数提取。本发明提供的建模方法考虑了H型栅SOI?MOS器件中延伸源体结侧面电容以及延伸漏体结侧面电容对于器件性能的影响,提高了模型的精确度,能够有效的运用于对器件的仿真设计。

公开日期2013-03-20
申请日期2013-01-06
语种中文
源URL[http://159.226.55.106/handle/172511/15514]  
专题微电子研究所_硅器件与集成研发中心
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
卜建辉,毕津顺,罗家俊,等. SOI H栅MOS器件的建模方法. CN201210536882.4. 2015-05-27.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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