本发明提供一种MOS器件的建模方法，包括：建立定义与STI相关的尺寸的一组参数，其中至少一个参数定义了STI的宽度或者栅宽方向上到STI的距离；建立所述一组参数对阈值电压和迁移率的影响的解析模型，所述解析模型包含待确定的系数；对使用特定工艺制作的不同尺寸的MOS器件进行特性测试，获得测试数据；根据所述测试数据确定所述解析模型的系数。采用本发明提供的模拟器件的方法，所得到的模拟特性数值与器件的实测数值更加接近，准确性更高。