基于Geant4 的三维半导体器件单粒子效应仿真
文献类型：期刊论文
| 作者 | 韩郑生 ; 罗家俊; 毕津顺; 国硕
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| 刊名 | 半导体技术
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| 出版日期 | 2015-08-07 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/15859]  |
| 专题 | 微电子研究所_硅器件与集成研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 韩郑生,罗家俊,毕津顺,等. 基于Geant4 的三维半导体器件单粒子效应仿真[J]. 半导体技术,2015. |
| APA | 韩郑生,罗家俊,毕津顺,&国硕.(2015).基于Geant4 的三维半导体器件单粒子效应仿真.半导体技术. |
| MLA | 韩郑生,et al."基于Geant4 的三维半导体器件单粒子效应仿真".半导体技术 (2015). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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